[发明专利]一种基于共振腔结构实现大面积超分辨光刻方法有效
| 申请号： | 201811510455.2 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109669323B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 罗先刚;蒲明博;马晓亮;刘玲;王长涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基于共振腔结构实现大面积超分辨光刻方法，在硅基底或硅膜层上制备包含有介质层和金属层的共振腔结构，在共振腔结构上制备一层特殊感光材料。上层感光材料在一定传统干涉光刻照明条件下透过率或/和折射率发生明显变化，并在第二次照明中作为振幅型掩模光栅使用。硅基底/感光材料/金属层组成的共振腔结构可以激发表面等离子体效应，并在共振腔体内实现上层感光材料形成的振幅型掩模光栅高频横向波矢的干涉，从而实现大面积的超分辨光刻。该方法与传统的干涉光刻相结合，通过共振腔结构的二次干涉效应，可将传统干涉光刻的分辨力至少提高2倍，为百纳米量级以下特征尺寸的硅基功能器件的制备提供了一种廉价的、简单的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 共振 结构 实现 大面积 分辨 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于共振腔结构实现大面积超分辨光刻方法，其特征在于：利用特殊感光层材料和共振腔结构，经过两次干涉过程，在硅材料上形成大面积超分辨光刻图形；其中，特殊感光材料在第一次传统干涉光场照明中透过率或/和折射率发生变化，并在第二次照明过程中充当振幅型掩模光栅。
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