[发明专利]一种氧化镓半导体叠层结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201811511210.1 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109659411B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 王钢;李泽琦;陈梓敏 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44302 广州圣理华知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顿海舟;李唐明 |
| 地址： | 510260 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种氧化镓半导体叠层结构。所述氧化镓半导体叠层结构包括图形化蓝宝石衬底和生长在图形化蓝宝石衬底上的氧化镓结晶膜；所述氧化镓为纯ε相或纯α相氧化镓；所述图形化蓝宝石衬底的实际表面和c晶面存在0°‑10°的偏离角，所述图形化蓝宝石衬底厚度为400微米至2毫米；所述图形化蓝宝石衬底的图形形状为沟槽形、六边形、三边形、半球形、圆锥形、金字塔形、圆台形、六棱锥、三棱锥或三棱台形中的一种或多种，图形结构高度为100纳米至2微米。本发明解决了异质衬底上生长ε相或α相氧化镓过程中易产生混相的问题，能够在异质衬底上获得纯ε相氧化镓或纯α相氧化镓。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镓 衬底 图形化蓝宝石 半导体叠层 异质 六边形 金字塔形 三棱台形 实际表面 图形结构 图形形状 半球形 沟槽形 结晶膜 六棱锥 偏离角 三边形 三棱锥 圆台形 生长 晶面 制备 | ||
【主权项】：
1.一种氧化镓半导体叠层结构，其特征在于，所述氧化镓半导体叠层结构包括图形化蓝宝石衬底和生长在图形化蓝宝石衬底上的氧化镓结晶膜；所述图形化蓝宝石衬底的实际表面和c晶面存在0°-10°的偏离角，所述图形化蓝宝石衬底厚度为400微米至2毫米；所述图形化蓝宝石衬底的图形形状为沟槽形、六边形、三边形、半球形、圆锥形、金字塔形、圆台形、六棱锥、三棱锥或三棱台形中的一种或多种，图形结构高度为100纳米至2微米；所述氧化镓结晶膜为纯ε相氧化镓或纯α相氧化镓。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811511210.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型PSS基板结构及其制作方法
- 下一篇：半导体发光元件
