[发明专利]一种双向瞬态电压抑制器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201811511229.6 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN109768076A 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 泉州臻美智能科技有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L27/02;H01L21/822
代理公司: 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 代理人: 马世中
地址: 362216 福建省泉州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供一种双向瞬态电压抑制器及其制作方法,包括:提供第二导电类型的衬底,刻蚀所述衬底形成沟槽,在所述沟槽的侧壁形成第二导电类型的第二外延层,第三外延层,在所述衬底上表面形成第一导电类型的第四外延层,在所述衬底下表面形成第一导电类型的第五外延层,在所述第四外延层上表面形成第一金属层,在所述第五外延层下表面形成第二金属层。该双向瞬态电压抑制器通过多组PN结提高了双向瞬态电压抑制器的抗击穿电压能力,该双向瞬态电压抑制器具有多路双向功能,方便应用过程中对多个电路同时保护,降低了功率器件的应用成本。同时该双向瞬态电压抑制器只需进行1次刻蚀工艺,降低了制作成本。
搜索关键词: 双向瞬态电压抑制器 外延层 第一导电类型 导电类型 衬底 制作 衬底上表面 衬底下表面 第二金属层 第一金属层 电压能力 功率器件 刻蚀工艺 双向功能 应用成本 应用过程 抗击穿 上表面 下表面 侧壁 多路 刻蚀 电路
【主权项】:
1.一种双向瞬态电压抑制器的制作方法,其特征在于,包括:提供第二导电类型的衬底;刻蚀所述衬底形成沟槽;在所述沟槽的侧壁形成第二导电类型的第二外延层;在所述衬底上表面和所述沟槽的剩余部分形成第一导电类型的第三外延层;在所述第三外延层上表面形成树脂层;在所述树脂层上表面注入氧离子和氩离子;湿法刻蚀去掉所述树脂层和所述衬底上表面的所述第三外延层;在所述衬底上表面形成第一导电类型的第四外延层,所述第四外延层的离子浓度高于所述第三外延层的离子浓度;在所述衬底下表面形成第一导电类型的第五外延层;在所述第四外延层上表面形成第一金属层;在所述第五外延层下表面形成第二金属层。
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