[发明专利]增强型氮化镓晶体管元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811511426.8 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111223924B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡镕泽;叶伯淳;徐建华;凃伯璁 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/15;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种增强型氮化镓晶体管元件及其制造方法，增强型氮化镓晶体管元件包含氮化镓层、量子阱结构、栅极、源极、漏极及第一位障层。量子阱结构设置于氮化镓层的上表面。栅极设置于量子阱结构上。源极设置于氮化镓层的上表面的一端。漏极设置于氮化镓层的上表面的另一端。第一位障层设置于氮化镓层的上表面并延伸至量子阱结构的侧表面。本发明晶体管元件在电压施加于栅极使晶体管元件导通时，量子阱结构能提供局限能阶给载子传输，使晶体管元件能提升效能。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 氮化 晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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