[发明专利]倒装式发光二极管芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811512151.X | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109638124A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 唐驰;刘亚柱;吕振兴;吴化胜;操娟 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种倒装式发光二极管芯片制备方法，包括，提供一衬底，于所述衬底上依次形成第一半导体层、发光层、第二半导体层、透明导电层；移除部分的所述透明导电层、第二半导体层、发光层及第一半导体层，形成凹部，所述凹部底部暴露出所述第一半导体层；在所述凹部的底部所暴露出的所述第一半导体层以及所述透明导电层上，形成第一金属层，以定义第一金属层第一、二电极；形成反射层于所述第一金属层、凹部侧壁及透明导电层上；形成第二金属层于所述第一金属层及反射层上，定义所述第二金属层第一、二电极；在所述第二金属层上沉积绝缘层；沉积第三金属层于所述绝缘层上，以定义第三金属层第一、二电极。该方法制备的芯片产品良率高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 第一金属层 透明导电层 第二金属层 电极 凹部 制备 绝缘层 发光二极管芯片 倒装式 发光层 反射层 金属层 衬底 沉积 凹部侧壁 芯片产品 导体层 暴露 良率 移除 | ||
【主权项】：
1.一种倒装式发光二极管芯片制备方法，其特征在于，包括提供一衬底，于所述衬底上形成第一半导体层；于所述第一半导体层上形成发光层；于所述发光层上形成第二半导体层；于所述第二半导体层上形成透明导电层；移除部分的所述透明导电层、部分所述第二半导体层、部分所述发光层及部分所述第一半导体层，以形成凹部，所述凹部的底部暴露出所述第一半导体层；在所述凹部的底部所暴露出的所述第一半导体层以及所述透明导电层上，形成第一金属层，以定义所述第一金属层上的第一电极和第二电极；形成反射层于所述第一金属层、所述凹部的侧壁及所述透明导电层上；形成第二金属层于所述第一金属层及所述反射层上，以定义所述第一金属层上的第一电极和第二电极；在所述第二金属层上沉积绝缘层；沉积第三金属层于所述绝缘层上，以定义所述第三金属层上的第一电极和第二电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司，未经合肥彩虹蓝光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811512151.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种CSP LED光源及其制作方法
- 下一篇：一种倒装LED芯片及其制作方法
