[发明专利]基于生成对抗网络的DIBR系统空洞填充方法有效

专利信息
申请号: 201811512179.3 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN109462747B 公开(公告)日: 2020-06-26
发明(设计)人: 刘然;赵洋;肖迪;郑杨婷;刘亚琼;陈希;张艳珍 申请(专利权)人: 成都美律科技有限公司;重庆大学
主分类号: H04N13/106 分类号: H04N13/106
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 温利平;陈靓靓
地址: 610041 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于生成对抗网络的DIBR系统空洞填充方法,首先收集一批参考图像样本和对应的深度图像,生成训练样本,采用此训练样本对生成对抗网络进行训练,得到用于DIBR系统空洞填充的生成模型,然后采用与训练样本相同的方法生成待填充目标图像对应的张量,并生成前景抑制蒙版,处理得到输入张量,将其输入至生成模型,最后对输出结果进行进一步处理得到空洞填充后的目标图像。本发明采用生成对抗网络提取低级特征和高级语义特征,提高填充的空洞区域和剩余部分像素的一致性。
搜索关键词: 基于 生成 对抗 网络 dibr 系统 空洞 填充 方法
【主权项】:
1.一种基于生成对抗网络的DIBR系统空洞填充方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:采用以下方法生成训练样本:S1.1:收集一批参考图像及对应的深度图像Dt,t=1,2,…,K,K表示参考图像数量;S1.2:将每幅参考图像和深度图像Dt进行三维图像变换,得到对应的目标图像并生成与目标图像相同尺寸的蒙版maskt,蒙版maskt用于标记空洞像素点,如果目标图像中的像素点是空洞像素点,则在蒙版maskt中对应的像素值为1,如果是非空洞像素点,则在蒙版maskt中对应的像素值为0;S1.3:将每幅参考图像的各个通道和对应的蒙版maskt分别转化为batch_size×Mt×Nt×1的张量,然后依次拼接得到batch_size×Mt×Nt×(L+1)的张量作为对应的训练样本,其中batch_size表示批尺寸,Mt×Nt表示参考图像的尺寸,L表示参考图像的通道数;S2:采用步骤S1生成的训练样本对生成对抗网络进行训练,得到用于DIBR系统空洞填充的生成模型;S3:对于经参考图像I′R进行图像三维变换得到的待空洞填充的目标图像I′S,生成与目标图像I′S相同尺寸的非空洞矩阵M′S和蒙版mask′,其中非空洞矩阵M′S用于区分目标图像I′S中的非空像素点和空洞像素点,对于目标图像I′S中的像素点是空洞像素点,则在非空洞矩阵M′S中将对应的元素值置为‑1,反之,如果是非空洞像素点,则在非空洞矩阵M′S中将对应的元素值置为该像素点的深度值;蒙版mask′用于标记空洞像素点,如果目标图像I′S中的像素点是空洞像素点,则在蒙版mask′中将对应的元素值为1,如果是非空洞像素点,则在蒙版mask′将中对应的元素值置为0;S4:根据非空洞矩阵M′S进行空洞检测并对检测到的空洞进行膨胀,将得到的矩阵作为前景抑制蒙版mask′FR;S5:采用步骤S1.3中同样方法将目标图像I′S的各个通道矩阵和蒙版mask′分别转化为batch_size×M′×N′×1的张量,其中M′×N′表示目标图像I′S的尺寸,然后依次拼接得到batch_size×M′×N′×(L+1)的张量R,然后根据以下公式计算得到输入张量input:input=R⊙(1‑mask′)其中,⊙表示对应元素相乘;经前景抑制蒙版mask′FR处理后得到输入张量input′:input′=input⊙(1‑mask′FR);S6:将输入张量input′输入至步骤S2得到的生成模型中,得到输出的图像output,然后采用以下公式处理得到空洞填充后的目标图像I″S:I″S=output⊙mask′+I′S⊙(1‑mask′)。
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