[发明专利]一种硼硅共掺杂金刚石电极及其制备方法与应用有效
申请号: | 201811514487.X | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN111304690B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 唐永炳;胡渊;杨扬;徐梦琦;张文军 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
主分类号: | C25B11/052 | 分类号: | C25B11/052;C25B11/065;C25B11/091;C25B1/27;C23C16/27 |
代理公司: | 北京中巡通大知识产权代理有限公司 11703 | 代理人: | 齐书田 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种硼硅共掺杂金刚石电极及其制备方法与应用,其中硼硅共掺杂金刚石电极包括基体以及设于所述基体上的硼硅共掺杂金刚石层。本发明提供的硼硅共掺杂金刚石电极,通过在金刚石层中掺入硼元素,可有效地提高金刚石层的导电性;而硅元素的掺入,可有效地提高金刚石层的催化活性。因此硼硅共掺杂使得金刚石电极的导电性和催化活性有显著增加,进而提高电催化氮气还原生成氨气的产量。本发明还提供了硼硅共掺杂金刚石电极的制备方法,通过简单的工艺便可制备出催化性能优异的硼硅共掺杂金刚石电极,简化了制备步骤,降低了成本。本发明还提供了将硼硅共掺杂金刚石电极应用于电催化还原氮气中的应用事例。 | ||
搜索关键词: | 一种 硼硅共 掺杂 金刚石 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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