[发明专利]垂直腔面发射量子级联激光器在审

专利信息
申请号: 201811514761.3 申请日: 2018-12-11
公开(公告)号: CN109412018A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 程凤敏;张锦川;王东博;赵越;刘峰奇;卓宁;王利军;刘俊岐;刘舒曼;王占国 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/343
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 张宇园
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种垂直腔面发射量子级联激光器,包括:量子点有源区层,在激光器有源区的每个周期中插入量子点插层形成量子点有源区层;分布布拉格反射镜层和光栅层,分布布拉格反射镜层结合光栅层构成垂直方向的谐振腔,实现面发射。本发明通过在一个有源区层中适当位置引入量子点插层,量子点态作为电子辐射跃迁的末态,使器件的辐射模式有垂直于量子阱平面的电场分量,能够制成传统的垂直腔面发射激光器。一方面,能够提高器件的功率、转化效率,降低阈值电流;另一方面,能够显著降低器件的尺寸,减小阈值电流。
搜索关键词: 量子点 分布布拉格反射镜 量子级联激光器 垂直腔面发射 量子点有源区 阈值电流 光栅层 插层 垂直腔面发射激光器 电场分量 电子辐射 辐射模式 降低器件 适当位置 转化效率 激光器 层结合 传统的 量子阱 面发射 平面的 谐振腔 源区层 减小 源区 跃迁 垂直 引入
【主权项】:
1.一种垂直腔面发射量子级联激光器,其特征在于,包括:量子点有源区层,在所述激光器有源区的每个周期中插入量子点插层形成量子点有源区层;分布布拉格反射镜层和光栅层,所述分布布拉格反射镜层结合光栅层构成垂直方向的谐振腔,实现面发射。
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