[发明专利]一种锆掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201811515158.7 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109727702A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;刘贤哲;姚日晖;张旭;袁炜健;张观广;梁志豪;梁宏富;张啸尘;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;H01B1/08;H01B1/02 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 向玉芳 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于电子器件材料制备技术领域，公开了一种锆掺杂氧化锡透明导电薄膜及其制备方法。所述方法包括如下制备步骤：(1)配制锆掺杂氧化锡前驱体溶液；(2)将干净玻璃衬底进行等离子体处理；(3)在等离子体处理过的玻璃衬底上旋涂制备锆掺杂氧化锡薄膜；(4)将制备好的薄膜先在热台上进行预固化，之后再进行退火。本发明制备的锆掺杂氧化锡透明导电薄膜具有高透过率，低电阻率，工艺简单，成本低廉等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 锆掺杂 透明导电薄膜 氧化锡 等离子体处理 衬底 电子器件材料 氧化锡前驱体 制备技术领域 退火 氧化锡薄膜 低电阻率 干净玻璃 高透过率 预固化 上旋 薄膜 配制 玻璃 | ||
【主权项】：
1.一种锆掺杂氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤：(1)以无水乙醇作为溶剂，SnCl2·2H2O作为溶质，醋酸锆溶液作为掺杂剂，配制成前驱体溶液；(2)将玻璃衬底进行氧气等离子体处理；(3)取步骤(1)制得的前驱体溶液旋涂在步骤(2)经过氧气等离子体处理后的衬底上制得薄膜，并将薄膜预固化和退火。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811515158.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
