[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201811515326.2 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN110838317B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 吴星来 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4097 | 分类号： | G11C11/4097;H10B43/35;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括层叠在基板上方的多条选通线和多条布线。多条选通线层叠在基板的设置在与第一方向交叉的第二方向上的第一单元阵列区域和第二单元阵列区域上方，并且被沟道结构穿过。多条布线层叠在基板的设置在第一单元阵列区域和第二单元阵列区域之间的间隔区域上方以及基板的在第一方向上设置在第一单元阵列区域和第二单元阵列区域以及间隔区域的两侧的第一联接区域上方。各条布线包括在第一方向上横穿间隔区域的线部分以及设置在第一联接区域上方的延伸部分。延伸部分的宽度大于线部分的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811515326.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
