[发明专利]一种平面波导器件的生产工艺在审
| 申请号： | 201811515362.9 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109324369A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 袁晓君;徐彦平;廖鹏;耿凯鸽 | 申请（专利权）人： | 科新网通科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/132 | 分类号： | G02B6/132 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 郭冠亚 |
| 地址： | 471000 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面波导器件的生产工艺，包括以下步骤：以硅片为基体，在硅片的上表面和下表面同时长一层高温二氧化硅膜；然后通过CVD沉积法在位于下层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜，再在位于上层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜；进行退火处理；在位于上层的TEOS膜的表面沉积一层氮氧化硅膜；然后进行退火；在氮氧化硅膜的表面再次沉积一层氮氧化硅膜作为波导芯层；在波导芯层的表面沉积一层TEOS膜，再在TEOS膜的表面沉积一层二氧化硅膜，然后在二氧化硅膜上沉积一层TEOS膜，再退火，即可。本发明的有益效果为：本发明所述生产工艺，以氮氧化硅为材料制备出一种具有较高折射率且折射率均匀性好的平面波导器件。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 平面波导器件 氮氧化硅膜 表面沉积 生产工艺 二氧化硅表面 退火 二氧化硅膜 波导芯层 硅片 上层 高温二氧化硅膜 材料制备 氮氧化硅 高折射率 均匀性好 退火处理 沉积法 上表面 下表面 折射率 下层 | ||
【主权项】：
1.一种平面波导器件的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)以硅片为基体，在硅片的上表面和下表面同时长一层高温二氧化硅膜；然后通过CVD沉积法在位于下层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜，再在位于上层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜；(2)对TEOS膜进行退火处理；(3)在位于上层的TEOS膜的表面沉积一层氮氧化硅膜；然后将硅片进行退火；(4)在氮氧化硅膜的表面再次沉积一层氮氧化硅膜作为波导芯层；(5)在波导芯层的表面沉积一层TEOS膜，再在TEOS膜的表面沉积一层二氧化硅膜，然后在二氧化硅膜上沉积一层TEOS膜，再退火，即可。
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