[发明专利]半导体器件的熔丝锁存器有效
| 申请号： | 201811516589.5 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN110910943B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 千德秀 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/52 | 分类号： | G11C29/52;H03K3/356;H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件的熔丝锁存器。所述熔丝锁存器包括多个PMOS晶体管和多个NMOS晶体管以锁存熔丝单元数据。在熔丝锁存器中，PMOS晶体管形成在单个P型有源区中，以及NMOS晶体管在P型有源区的一侧布置成两级结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 熔丝锁存器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811516589.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
