[发明专利]一种GaN发光二极管及其制备方法和LED芯片在审
| 申请号： | 201811519132.X | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109713095A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 康建;焦建军;梁旭东;陈向东 | 申请（专利权）人： | 马鞍山杰生半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 文小莉;刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN发光二极管及其制备方法和LED芯片，GaN发光二极管包括：依次层叠设置在衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层和透明导电层，其中，所述透明导电层上设有P型电极层，所述N型GaN层上设有与所述发光层隔开的N型电极层，且所述P型电极层和所述N型电极层均采用Al/Si合金制成，本发明提供的GaN发光二极管解决了现有GaN发光二极管中电极层采用AI金属制作时由于金属Al的延展性较差、硬度过高且Al元素易氧化而造成封装焊线过程中电极线容易脱落以及焊线不牢的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 透明导电层 发光层 焊线 制备 延展性 合金制成 金属制作 依次层叠 电极层 电极线 金属Al 易氧化 衬底 隔开 封装 | ||
【主权项】：
1.一种GaN发光二极管，包括依次层叠设置在衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层和透明导电层，其特征在于：所述透明导电层上设有P型电极层，所述N型GaN层上设有与所述发光层隔开的N型电极层，且所述P型电极层和所述N型电极层均采用Al/Si合金制成。
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