[发明专利]自动跟踪可控硅准电流过零触发控制方法和电路在审

专利信息
申请号: 201811519815.5 申请日: 2018-12-12
公开(公告)号: CN109714034A 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 崔凤来 申请(专利权)人: 崔凤来
主分类号: H03K17/13 分类号: H03K17/13;H03K17/725
代理公司: 北京思元知识产权代理事务所(普通合伙) 11598 代理人: 余光军;曾晖
地址: 071030 河北省保定*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 一种自动跟踪可控硅准电流过零触发控制方法和电路,用电压/电流传感器跟踪可控硅导通“0”、关断“1”的方法提取控制信号,并且对提取的信号进行处理后,控制触发双向可控硅或由两个单向反接的可控硅的方法,使可控硅无论是在电阻负载、电感负载还是电容负载中都能够实现可控硅在电流过零点附近进行转换。其优点是抗干扰能力极强、没有电流转换时的冲击,没有过电压的产生,没有电流电压换相时的时间间断,没有干扰辐射源的产生,不改变电路的功率因数,既提高了可控硅运行的可靠性,又使可控硅和设备安全、稳定、可靠的工作和运行。
搜索关键词: 可控硅 触发控制 电流过零 自动跟踪 电路 触发双向可控硅 信号进行处理 电流传感器 电流过零点 抗干扰能力 可控硅导通 电感负载 电流电压 电流转换 电容负载 电阻负载 方法提取 改变电路 功率因数 控制信号 设备安全 辐射源 过电压 反接 关断 跟踪 转换
【主权项】:
1.一种自动跟踪可控硅准电流过零触发控制方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)初始上电准备:在可控硅控制电路刚上电时,由并联在可控硅两端的电压/电流传感器检测负载电流的过零点,将这个过零点的信号延时4~5mS后作好可控硅被打开的准备;(2)由控制器给出需要某路可控硅打开的指令;在打开的可控硅开通的同时,电压/电流传感器检测打开的某路可控硅电压降低的信号“0”,并进行信号整定和电压隔离后,形成可控硅的封锁控制信号,该封锁控制信号封锁其它各路可控硅使这些被封锁的各路可控硅不再被打开,并在这些被封锁的各路可控硅准电流过零点时如果仍然为“0”,则使这些被封锁的各路可控硅在接下来的第一个正弦半周期仍然保持起开通状态;再下一个准电流过零点时如果仍然为“0”,则使其在第二个正弦半周期仍然保持其开通状态,并继续对其它所有可控硅进行封锁;只要检测到已经开通的某路可控硅两端总为“0”,所述的封锁控制信号对打开的某路可控硅通道继续开放,对其他可控硅通道全部封锁,保证了唯一一个可控硅通道的开通;(3)当控制器发出关断这个开通的可控硅而打开其它可控硅的指令时,则控制上述被打开的可控硅通过的电流在准过零点时关断;电压/电流传感器检测到这路可控硅电压信号为“1”,并进行信号整定和电压隔离后,形成可控硅的解封锁控制信号,该解封锁控制信号使所有可控硅处于待打开状态,并使新的也是唯一一路的控制指令打开对应的可控硅;这个被打开可控硅两端电压为“0”,并发出封锁信号对除此自身以外的可控硅全部进行封锁,不再允许其它可控硅再开;新打开的可控硅被打开后其通过的电流在准过零点时如果没有接收到关断的指令,其两端的电压/电流传感器会检测到信号仍然为“0”,则继续使其在下一个正弦半周期保持继续打开,直到需要打开另外的可控硅的新的指令到来;(4)重复步骤(2)和(3),实现自动跟踪可控硅准电流过零触发控制。
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