[发明专利]门极可关断晶闸管及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201811519866.8 申请日: 2018-12-12
公开(公告)号: CN109860286A 公开(公告)日: 2019-06-07
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 泉州臻美智能科技有限公司
主分类号: H01L29/744 分类号: H01L29/744;H01L21/332
代理公司: 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 代理人: 马世中
地址: 362216 福建省泉州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开一种门极可关断晶闸管,其包括:衬底;位于衬底的上表面的外延层;贯穿外延层且底部延伸至衬底内的隔离沟槽,隔离沟槽将外延层分隔为第一区域和第二区域;填充在隔离沟槽内的隔离层;位于第一区域的第一注入区;位于第二区域的第二注入区;位于第二注入区的上表面的掺杂第一导电类型杂质的掺杂多晶硅层;位于第一注入区的上表面的阳极金属和位于第二注入区的上表面的门极金属;位于掺杂多晶硅层的上表面的阴极金属。本发明还公开该门极可关断晶闸管的制作方法。本发明所述门极可关断晶闸管具有关断拖尾电流小、关断功耗更低的特点,同时其门极、阳极、阴极三端均位于同一面,特别便于与其它电路进行工艺集成。
搜索关键词: 上表面 注入区 门极可关断晶闸管 隔离沟槽 外延层 衬底 掺杂多晶硅层 第二区域 第一区域 门极 第一导电类型 阴极 阳极 工艺集成 拖尾电流 阳极金属 阴极金属 隔离层 同一面 分隔 功耗 关断 三端 填充 制作 掺杂 电路 金属 贯穿 延伸
【主权项】:
1.一种门极可关断晶闸管,其特征在于,包括:第一导电类型的衬底;位于所述衬底的上表面的第二导电类型的外延层;贯穿所述外延层且底部延伸至所述衬底内的隔离沟槽,所述隔离沟槽将所述外延层分隔为第一区域和第二区域;填充在所述隔离沟槽内的隔离层;位于所述第一区域的第二导电类型的第一注入区;位于所述第二区域的第二导电类型的第二注入区;位于所述第二注入区的上表面且掺杂第一导电类型杂质的掺杂多晶硅层;位于所述第一注入区的上表面的阳极金属;位于所述第二注入区的上表面的门极金属;位于所述掺杂多晶硅层的上表面的阴极金属。
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