[发明专利]一种高保持电压硅控整流器及制备方法在审
| 申请号： | 201811519881.2 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109671767A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 泉州臻美智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/74;H01L21/332 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 362216 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高保持电压硅控整流器及制备方法，通过在外延层位于第一阱区内部的表面包围高掺杂区，同时降低第一阱区的浓度，使得器件具有高的保持电压，同时降低外延层与高掺杂区的击穿电压，从而降低器件触发电压，提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 硅控整流器 高掺杂区 外延层 阱区 制备 表面包围 触发电压 击穿电压 降低器件 提升器件 | ||
【主权项】：
1.一种高保持电压硅控整流器，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的第一阱区和第二导电类型的第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区注入形成于所述衬底；栅极结构，所述栅极结构形成于所述第一阱区上；第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区注入形成于所述第二阱区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区两侧形成有隔离区；第二导电类型的外延层，所述外延层形成于所述第一阱区和所述第二阱区的交界处，所述外延层一端与位于所述第二阱区的隔离区连接，所述外延层另一端延伸至所述栅极结构一侧；第一导电类型的第三掺杂区和第二导电类型的第四掺杂区，所述第三掺杂区和所述第四掺杂区注入形成于所述第一阱区，所述第三掺杂区两侧形成有隔离区，所述第四掺杂区位于所述栅极结构一侧；第一导电类型的高掺杂区，所述高掺杂区位于所述第四掺杂区和所述外延层之间，所述高掺杂区包围所述外延层位于所述第一阱区的表面；其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区与电流输入端连接，所述栅极结构和所述第三掺杂区与接地端连接。
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