[发明专利]紫外半导体发光器件

摘要

紫外半导体发光器件包括半导体堆叠、沟槽、填充绝缘体以及第一电极和第二电极。半导体堆叠包括第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层以及在它们之间的有源层，有源层包括AlGaN半导体材料。沟槽延伸通过第二导电类型的半导体层和有源层到达第一导电类型的半导体层并具有第一宽度。填充绝缘体填充沟槽，使得填充绝缘体在沟槽中至少延伸通过有源层，并且包括具有特定折射率的绝缘材料。第一电极连接到第一导电类型的半导体层，第二电极连接到第二导电类型的半导体层。

主权项

1.一种紫外半导体发光器件，包括：半导体堆叠，所述半导体堆叠包括：第一导电类型的AlGaN半导体层，所述第一导电类型的AlGaN半导体层包括第一AlGaN半导体材料，第二导电类型的AlGaN半导体层，所述第二导电类型的AlGaN半导体层包括第二AlGaN半导体材料，以及有源层，在所述第一导电类型的A1GaN半导体层和所述第二导电类型的AlGaN半导体层之间且包括第三AlGaN半导体材料；至少一个沟槽，通过所述第二导电类型的AlGaN半导体层和所述有源层延伸到所述第一导电类型的AlGaN半导体层；填充绝缘体，填充所述至少一个沟槽，使得所述填充绝缘体在所述至少一个沟槽中至少延伸通过所述有源层，所述填充绝缘体包括绝缘材料，所述绝缘材料具有比所述有源层低的折射率；第一电极，连接到所述第一导电类型的AlGaN半导体层；以及第二电极，连接到所述第二导电类型的AlGaN半导体层，其中，所述至少一个沟槽的侧壁倾角(θ₀)、相对于所述至少一个沟槽的侧壁的横向方向上的入射角(θ₁)以及相对于所述横向方向的折射角(θ₂)满足下面的等式(1)至(3)：θ₀＝90°‑θ₁.....(1)n1×sin(θ₁)＝n2×sin(θ₂).....(2)θ₂≥9°+θ₁.......(3)，其中，n1是所述有源层的折射率，n2是所述绝缘材料的折射率。