[发明专利]一种阵列基板制备方法有效
| 申请号： | 201811521697.1 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109860043B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 尹易彪 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板制备方法，所述制备方法包括：S10、提供一衬底，所述衬底表面形成有第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层材质不同，且蚀刻速率不同；S20、在所述第二金属层表面形成光阻图案；S30、对所述第二金属层进行预处理以改变其蚀刻速率，使得所述第一金属层与所述第二金属层蚀刻速率相当，避免蚀刻速率不同形成拖尾金属；有益效果：本发明实施例通过工艺改善，一方面通过预处理减慢铜的蚀刻速率；另一方面在形成拖尾后，通过预处理在铜膜表面形成保护层，对拖尾进行二次刻蚀，达到缩短甚至消除拖尾，减弱拖尾产生的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S10、提供一衬底，所述衬底表面形成有第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层，所述第一金属层与所述第二金属层材质不同，且蚀刻速率不同；S20、在所述第二金属层表面形成光阻图案；S30、对所述第二金属层进行预处理以改变其蚀刻速率，使得所述第一金属层与所述第二金属层蚀刻速率相当，避免蚀刻速率不同形成拖尾金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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