[发明专利]层状UiO-66/g-C3N4/Ag复合材料的制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 201811521847.9 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109590022A 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 冯胜;王润柏;刘曙光;孙佳佳 申请(专利权)人: 常州大学
主分类号: B01J31/22 分类号: B01J31/22;B01J35/00;B01J35/02;B01J37/34;C02F1/30;C02F101/30
代理公司: 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 代理人: 任晓岚
地址: 213164 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于纳米复合材料技术领域,涉及一种层状UiO‑66/g‑C3N4/Ag复合材料的制备方法和应用。本发明先对制备得到g‑C3N4进行质子化处理,将质子化g‑C3N4和UiO‑66复合,得UiO‑66/g‑C3N4,采用光沉积技术将Ag成功负载到了UiO‑66/g‑C3N4上形成了一种新型的三元复合材料UiO‑66/g‑C3N4/Ag,并且使用扫描电子显微镜(SEM)等来证明。UiO‑66/g‑C3N4/Ag复合材料是高效光催化材料,层状复合材料在吸附,光催化,储能等不同领域中起着重要作用。本发明将为MOF,g‑C3N4和贵金属半导体结合成层状纳米结构提供重要基准,以改进材料的光催化性能,从而更好地降解有机污染物。
搜索关键词: 复合材料 质子化 制备 降解有机污染物 扫描电子显微镜 制备方法和应用 层状复合材料 层状纳米结构 纳米复合材料 三元复合材料 光催化材料 光催化性能 贵金属 改进材料 光催化 储能 吸附 沉积 半导体 复合 应用 成功
【主权项】:
1.层状UiO‑66/g‑C3N4/Ag复合材料的制备方法,其特征在于,将g‑C3N4通过质子化后和UiO‑66制备得UiO‑66/g‑C3N4,并运用光沉积法负载Ag颗粒得到UiO‑66/g‑C3N4/Ag(X%),所述X%是g‑C3N4占UiO‑66的质量百分比,其中,X%=10%,15%或20%。
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