[发明专利]蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法有效
| 申请号： | 201811523773.2 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110028971B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 柳灏成;金铉峻;白珍珠;李浚银;全贤善 | 申请（专利权）人： | OCI有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;郑毅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。本发明涉及蚀刻组合物、蚀刻方法及利用其的半导体器件的制备方法，更详细地，包含在半导体制备工序中进行湿式蚀刻的情况下，对氧化膜的蚀刻率进行最小化的同时能够选择性地去除氮化膜的高选择比的化合物的蚀刻组合物以及包括利用其蚀刻组合物的蚀刻工序的半导体器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 利用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻组合物，其特征在于，包含：磷酸；以及由以下化学式1表示的化合物，化学式1：![]()
在所述化学式1中，X选自由‑(CH2)nNH2、‑(CH2)nSH及‑(CH2)nOH组成的组中，n为0至3的整数，R1及R2分别独立地选自由C1～C5的烷基、C1～C5的烷基胺基，C1～C5的烷硫基及C1～C5的烷醇基组成的组中，所述R1及R2的烷基、烷基胺基、烷硫基及烷醇基分别独立地被选自由氢、羟基、C1～C5的烷基、C1～C5的烷基胺基、C1～C5的烷硫基及C1～C5的烷醇基组成的组中的一种以上的取代基取代或非取代，在被多个取代基取代的情况下，它们相同或不同。
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