[发明专利]一种TFT驱动背板有效
申请号: | 201811524346.6 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN109585516B | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 赵加湘;程文锦;贾可然 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种TFT驱动背板,从上至下依次包括次数据线、第一绝缘层、电容上极板、第二绝缘层和电容下极板,其特征在于所述电容上级板的侧部设置有一缺口,所述缺口处被所述第一绝缘层向上填充,并且填充所述缺口处的第一绝缘层设置有一竖直向下延伸直至所述电容下极板的第一过孔。通过,将次数据线与电容下极板连接的位置移开至非电容上极板处,不需在电容中心位置打孔,不需要两次开孔对位,降低了光刻工艺的对位精度要求极高,且有效避免两次开孔对位偏差容易造成电容短路,提高了产品良率;同时通过设计余量及单向偏移,可避免电容短路,并增加有效电容面积。 | ||
搜索关键词: | 一种 tft 驱动 背板 | ||
【主权项】:
1.一种TFT驱动背板,从上至下依次包括次数据线、第一绝缘层、电容上极板、第二绝缘层和电容下极板,其特征在于所述电容上级板的侧部设置有一缺口,所述缺口处被所述第一绝缘层向上填充,并且填充所述缺口处的第一绝缘层设置有一竖直向下延伸直至所述电容下极板的第一过孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的