[发明专利]一种图像传感单元及其制作方法、图像传感器在审
申请号: | 201811524539.1 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN109801934A | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 臧凯;李爽;马志洁 | 申请(专利权)人: | 深圳市灵明光子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 唐致明;洪铭福 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区西丽*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种图像传感单元及其制作方法、图像传感器,其中,图像传感单元设置有陷光结构,入射光经过陷光结构反射、散射、折射后被分散到各个角度,加上侧壁反射墙的反射作用,可以延长光在图像传感单元中的有效光程,从而提高了光在图像传感单元中的吸收效率,而不需增加器件厚度;另外,一种图像传感单元的制作方法,实现了图像传感单元的制作,其中,图像传感单元具有第一陷光结构和第二陷光结构,可以提高图像传感单元的光吸收效率。 | ||
搜索关键词: | 图像传感单元 陷光结构 图像传感器 制作 反射 光吸收效率 反射作用 吸收效率 有效光程 入射光 散射 侧壁 折射 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感单元,其特征在于,所述图像传感单元由下至上依次设置有衬底、电路层、氧化硅层和硅探测层,所述硅探测层的四周设置有侧壁反射墙,所述图像传感单元中设置有陷光结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的