[发明专利]一种涂硼微孔中子成像探测器及其测量方法有效
| 申请号： | 201811524655.3 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109581473B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 邓超;庹先国;王琦标;李怀良;冷阳春;石睿;郑洪龙;成建峰;荣文钲;李金夫 | 申请（专利权）人： | 四川理工学院;中国工程物理研究院核物理与化学研究所;西南科技大学;成都理工大学 |
| 主分类号： | G01T3/00 | 分类号： | G01T3/00 |
| 代理公司： | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人： | 陈春华 |
| 地址： | 643000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开一种涂硼微孔中子成像探测器及其测量方法，解决现有技术制作工艺复杂、穿丝工艺繁琐、工作可靠性受阳极丝稳定性影响较大，微孔表面涂硼工艺难度大及中子探测效率低的问题。本发明成像探测器包括场笼，阴极板，GEM膜，WSA阳极，石英玻璃片，探测器主体，石英玻璃片设狭缝和硼层。本发明测量方法为中子与硼发生核反应并生成带电粒子。带电粒子进入工作气体电离产生电子，在场笼电场的作用下电子漂移到GEM膜上进行电子信号倍增，并被WSA阳极获取，得到中子位置信息，进行信号探测。本发明制作过程工艺简便，采用玻璃作为涂硼中子探测器的基体材料，减少中子散射对中子测量造成的影响，使中子位置测量结果更加准确。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微孔 中子 成像 探测器 及其 测量方法 | ||
【主权项】：
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