[发明专利]包括重分布层结构的半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201811524723.6 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111063666B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 房基俊;金相宰;朴信映 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及包括重分布层结构的半导体装置及其形成方法。一种半导体装置，包括：半导体芯片主体，具有其上设置有芯片焊盘的表面；钝化层，其覆盖半导体芯片主体的表面并提供露出芯片焊盘的锥形孔；以及设置在钝化层上的重分布层RDL结构。RDL结构包括第一RDL互连部分和第二RDL交叠焊盘部分，第一RDL互连部分与锥形孔间隔开并且从锥形孔旁边经过，第二RDL交叠焊盘部分被配置为接触露出的芯片焊盘的底部部分，并且被配置为具有面向第一RDL互连部分的侧表面的第一侧表面。第二RDL交叠焊盘部分的第一侧表面的中心部分朝向第一RDL互连部分的侧表面延伸，使得第一侧表面是弯曲的。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 分布 结构 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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