[发明专利]一种HEMT外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811524779.1 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109801964A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种HEMT外延结构及其制备方法，属于半导体光电技术领域。将AlGaN缓冲层设置为包括AlGaN底层结构与设置在AlGaN底层结构上的多个圆柱形凸起。而GaN层在AlGaN底层结构上逐渐生长时，GaN层与多个圆柱形凸起的外壁之间存在界面。传统方法中GaN层在生长时产生的位错均会朝向GaN层与AlGaN势垒层的界面处移动，而GaN层与圆柱形凸起之间的界面使GaN层在生长过程中形成的部分位错缺陷会移动至GaN层与多圆柱形凸起之间的界面处。这一部分位错缺陷不会移动至GaN层与AlGaN势垒层的界面处的位错缺陷，相对减少了移动至GaN层与AlGaN势垒层的界面处的位错缺陷，提高了GaN层会与AlGaN势垒层相接处的表面质量，GaN层上生长的AlGaN势垒层的质量较好，使最终得到的HEMT的质量得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 圆柱形凸起 位错缺陷 界面处 底层结构 移动 外延结构 制备 生长 光电技术领域 生长过程 缓冲层 相接处 外壁 位错 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种HEMT外延结构，所述HEMT外延结构包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN层、AlGaN势垒层与GaN盖层，其特征在于，所述AlGaN缓冲层包括AlGaN底层结构与设置在所述AlGaN底层结构上的多个圆柱形凸起，所述多个圆柱形凸起均布在所述AlGaN底层结构上，所述衬底层叠所述AlN成核层的一个表面为第一表面，所述多个圆柱形凸起在所述第一表面上的投影均不重合。
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