[发明专利]一种内花键及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及内花键技术领域，尤其涉及一种内花键及其制备方法和应用，根据实施例的记载，本发明提供的内花键中的Si掺杂类金刚石薄膜在内花键内表面的均匀性高于90％，其结合强度大于40～50N，薄膜的显微硬度为900～1200HV，与干Si₃N₄干摩擦系数低于0.2。本发明利用空心阴极法实现了内花键内表面制备致密均匀，具有优异的耐磨、减磨效果的薄膜。

主权项

1.一种内花键，包括内花键基体和内花键基体内表面的薄膜；所述薄膜包括Si打底层和交替层叠的Si掺杂的类金刚石层和类金刚石层；所述Si掺杂的类金刚石层与Si打底层接触；所述薄膜的外表层为类金刚石层；所述Si掺杂的类金刚石层和类金刚石层的总层数为6～12；所述内花键的长径比≤12:1，内径≥25mm，长度≤500mm。