[发明专利]一种MOS栅控晶闸管有效
| 申请号： | 201811525422.5 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109616518B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 胡飞;宋李梅;韩郑生;杜寰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/745 | 分类号： | H01L29/745;H01L29/749 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种MOS栅控晶闸管。所述MOS栅控晶闸管包括阴极、栅极和阳极三个电极，其中，所述栅极包括NMOS和PMOS，所述MOS栅控晶闸管还包括N‑P‑N‑P四层结构区和P |
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| 搜索关键词： | 一种 mos 晶闸管 | ||
【主权项】：
1.一种MOS栅控晶闸管，其特征在于，所述MOS栅控晶闸管包括阴极、栅极和阳极三个电极，其中，所述栅极包括NMOS和PMOS，所述MOS栅控晶闸管还包括N‑P‑N‑P四层结构区和P+扩散区，其中，所述N‑P‑N‑P四层结构区包括N+阴极区、P基区、N型漂移区、N+缓冲层和P+阳极区，所述N型漂移区中靠近所述P+扩散区的区域内设置N型埋层。
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