[发明专利]栅驱动集成电路有效
申请号: | 201811525665.9 | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN111326579B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 杨维成;杨黎嫣 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种栅驱动集成电路。在栅驱动集成电路中,第一阱区设置在第一栅极靠近隔离区的一侧,并在第一阱区和隔离区之间设置有第二栅极,以利用第二栅极抑制由第一阱区和隔离区之间的漂移区所构成的寄生PN结所产生的漏电流现象,如此即可有效改善栅驱动集成电路的器件性能。 | ||
搜索关键词: | 驱动 集成电路 | ||
【主权项】:
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