[发明专利]一种半导体发光器件在审
| 申请号： | 201811525667.8 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111326623A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李建华;李全杰;刘向英 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 毋雪 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光器件，包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上，缓冲层包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层；低温氮化镓层，位于缓冲层上；N型半导体层，位于低温氮化镓层上；N型掺杂层，位于N型半导体层上；量子阱发光层，位于N型掺杂层上；电子阻挡层，位于量子阱发光层上，电子阻挡层包括依次层叠于量子阱发光层上的第一电子阻挡层、第二电子阻挡层和第三电子阻挡层；P型掺杂层，位于电子阻挡层上；P型半导体层，位于P型掺杂层上。本发明通过在衬底层上生长三层缓冲层能够最大限度的阻挡缺陷，从而提高发光二极管的发光质量。并且能够有效阻止多于的电子从量子阱发光层跃迁至P型半导体层，改善发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
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