[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法。提供如下技术：在制造半导体装置时，在对作为层间绝缘膜的由SiOC膜形成的多孔质的低介电常数膜进行蚀刻时能够抑制低介电常数膜的损伤。对晶圆W进行以异氰酸酯和胺为原料、通过蒸镀聚合生成聚脲的成膜处理。由此在低介电常数膜(20)的孔部(21)内埋入聚脲。而且，先形成通孔的情况下，在低介电常数膜(20)形成通孔(201)后、且形成沟槽(202)前在通孔(201)内埋入保护用的填充物(100)。作为填充物(100)可列举出聚脲。先形成沟槽的情况下，形成沟槽(202)，形成通孔(201)后，去除沟槽(202)内的掩模时，通过低介电常数膜(20)的孔部内的聚脲的存在来保护低介电常数膜。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其在形成于基板上的作为层间绝缘膜的多孔质的低介电常数膜中通过蚀刻形成沟槽和通孔，其特征在于，所述制造方法包括如下工序：埋入工序，对所述低介电常数膜供给聚合用的原料，在所述低介电常数膜内的孔部埋入具有脲键的聚合物；对所述低介电常数膜进行蚀刻，形成通孔的工序；接着，在所述通孔内埋入包含有机物的保护用的填充物的工序；然后，对所述低介电常数膜进行蚀刻，形成沟槽的工序；接着，去除所述填充物的工序；和，形成所述沟槽后，对所述基板进行加热而将所述聚合物解聚，由此从所述低介电常数膜内的孔部将所述聚合物去除的工序，在所述孔部埋入所述聚合物的工序在形成所述沟槽之前进行。