[发明专利]一种HEMT外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811526198.1 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109786454A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/02;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种HEMT外延结构及其制备方法，属于半导体光电技术领域。将AlGaN缓冲层设置为包括AlGaN底层结构与设置在AlGaN底层结构上的多个锥形凸起，GaN层在AlGaN底层结构上进行生长，多个锥形凸起的存在，使GaN层在AlGaN底层结构上逐渐向远离衬底的第一表面的方向纵向生长时，GaN层同时会朝向平行第一表面的方向横向生长，部分GaN层纵向生长时产生的位错缺陷会与部分GaN层横向生长时产生的位错缺陷相抵消，提高GaN层的生长质量。且GaN层在横向生长时，GaN层内部的位错等缺陷也会沿平行第一表面的方向移动至GaN层的侧壁，能够减少移动至GaN层与AlGaN势垒层的界面处的位错缺陷，提高GaN层会与AlGaN势垒层相接处的表面质量，进一步提高最终得到的HEMT的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 底层结构 第一表面 位错缺陷 生长 横向生长 外延结构 锥形凸起 制备 平行 光电技术领域 方向横向 方向移动 方向纵向 纵向生长 缓冲层 界面处 相接处 侧壁 衬底 位错 半导体 抵消 移动 | ||
【主权项】：
1.一种HEMT外延结构，所述HEMT外延结构包括衬底及依次层叠在所述衬底上的AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN层、AlGaN势垒层与GaN盖层，其特征在于，所述AlGaN缓冲层包括AlGaN底层结构与设置在所述AlGaN底层结构上的多个锥形凸起，所述多个锥形凸起均布在所述AlGaN底层结构上，所述衬底层叠所述AlN成核层的一个表面为第一表面，所述多个锥形凸起在所述第一表面上的投影均不重合。
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