[发明专利]一种快恢复二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201811526462.1 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109559990A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 曹功勋;朱涛;田亮;吴昊;金锐;吴军民;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/265;H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快恢复二极管及其制作方法，快恢复二极管包括N型硅片以及正面结构和背面结构：背面结构包括N型掺杂层、N型缓冲层、N型掺磷区和背面金属，N型缓冲层、N型掺磷区和背面金属依次设置于N型硅片背面，N型掺杂层设置于N型硅片内部，本发明先形成正面结构，再形成背面结构，背面结构形成过程中，先形成N型缓冲层和N型掺杂层，最后形成背面金属。由于N型缓冲层工艺在正面结构形成后，完全可以利用减薄工艺提升芯片背面洁净度，避免硅片背面表面存在的沾污问题，从根本上避免背金脱落风险，同时由于硅片内部存在N型掺杂层，大幅度提高了快恢复二极管的抗动态雪崩能力；本发明提供的制作方法过程简洁，可操作性强。 | ||
| 搜索关键词： | 快恢复二极管 背面结构 背面 正面结构 金属 掺磷 制作 动态雪崩 硅片背面 芯片背面 依次设置 洁净度 硅片 背金 减薄 沾污 | ||
【主权项】：
1.一种快恢复二极管的制作方法，其特征在于，包括：在N型硅片正面依次形成有源区、保护环和氧化层；所述氧化层形成后，在正面形成N型截止环，并在N型硅片的背面内部形成N型掺磷区；所述N型截止环形成后，在正面依次形成BPSG层、正面金属和钝化层；所述钝化层形成后，在所述N型掺磷区靠近N型硅片侧形成N型掺杂层和N型缓冲层，并在N型掺磷区的底部形成背面金属。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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