[发明专利]一种具有多层缓冲层的发光二极管在审
| 申请号： | 201811527530.6 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111326625A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李建华;李全杰;刘向英 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 毋雪 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有多层缓冲层的发光二极管，包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上，其中，缓冲层包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层，所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层依次层叠于所述衬底层上；N型半导体层，位于所述缓冲层上；N型掺杂层，位于所述N型半导体层上；量子阱发光层，位于所述N型掺杂层上；电子阻挡层，位于所述量子阱发光层上；P型掺杂层，位于所述电子阻挡层上；P型半导体层，位于所述非故意P型杂质掺杂层上。本发明通过在衬底层上生长三层缓冲层，从而能够大幅度提高缓冲层的阻挡能力，能够最大限度的阻挡缺陷进入到N型半导体层、多量子阱发光层和P型半导体层中，从而提高发光二极管的发光质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 多层 缓冲 发光二极管 | ||
【主权项】：
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