[发明专利]压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪有效
申请号: | 201811529259.X | 申请日: | 2018-12-13 |
公开(公告)号: | CN109682364B | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 杨健;韩国威;司朝伟;王晓东;宁瑾;颜伟;刘雯;杨富华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 |
主分类号: | G01C19/56 | 分类号: | G01C19/56 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种压电MEMS解耦结构及MEMS陀螺仪,该压电MEMS解耦结构,包括:一T型梁结构,包括一体化的横梁和纵梁,该T型梁结构自下而上依次包括:衬底、下电极层和压电材料层;第二上电极,作为检测电极,呈T型,位于T型梁结构之上,关于纵梁中心线对称;以及第一上电极和第三上电极,作为驱动电极,位于纵梁之上,对称分布于纵梁中心线两侧,与第二上电极位于纵梁上的部分相互独立。该解耦结构通过将其整体形状设置为一包含一体化横梁和纵梁的T型梁结构,并在该T型梁结构上设置关于纵梁中心线对称的T型检测电极和在纵梁上对称分布的两个驱动电极,实现了完全解耦,可有效提高陀螺仪的检测精度。 | ||
搜索关键词: | 压电 mems 结构 陀螺仪 | ||
【主权项】:
1.一种压电MEMS解耦结构,其特征在于,包括:一T型梁结构(1),包括一体化的横梁(11)和纵梁(12),该T型梁结构(1)自下而上依次包括:衬底(101)、下电极层(102)和压电材料层(103);第二上电极(142),作为检测电极,呈T型,位于所述T型梁结构(1)之上,关于纵梁中心线(120)对称;以及第一上电极(141)和第三上电极(143),作为驱动电极,位于所述纵梁(12)之上,对称分布于纵梁中心线(120)两侧,与所述第二上电极(142)位于纵梁(12)上的部分相互独立。
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