[发明专利]一种门极可关断晶闸管及其制造方法在审
| 申请号： | 201811529527.8 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109786451A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 泉州臻美智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/744 | 分类号： | H01L29/744;H01L21/265;H01L21/332 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 362216 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种门极可关断晶闸管，包括自下而上依次形成的第一基区、第二基区、第三基区和第四基区，以及还包括形成在第一基区下表面的阳极金属、形成在第四基区上表面的阴极金属、以及形成在第四基区上表面的两个门极金属，两个门极金属分别位于阴极金属的两侧，门极可关断晶闸管还包括重掺杂的第一导电类型的埋层和重掺杂的第一导电类型的注入区，两个阴极金属下方分别形成有注入区，注入区的下方形成有埋层，埋层自第三基区的上表面向第三基区内延伸，注入区自第四基区的上表面贯穿第四基区。以及还公开了一种门极可关断晶闸管的制造方法。具有导通压降小、关断时间特别短。 | ||
| 搜索关键词： | 基区 门极可关断晶闸管 上表面 注入区 阴极金属 埋层 第一导电类型 重掺杂 门极 金属 导通压降 阳极金属 下表面 关断 制造 贯穿 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种门极可关断晶闸管，包括自下而上依次形成的第一导电类型的第一基区、第二导电类型的第二基区、第一导电类型的第三基区和第二导电类型的第四基区，以及还包括形成在所述第一基区下表面的阳极金属、形成在所述第四基区上表面的阴极金属、以及形成在所述第四基区上表面的两个门极金属，两个所述门极金属分别位于所述阴极金属的两侧，其特征在于，所述门极可关断晶闸管还包括重掺杂的第一导电类型的埋层和重掺杂的第一导电类型的注入区，两个所述阴极金属下方分别形成有所述注入区，所述注入区的下方形成有所述埋层，所述埋层自所述第三基区的上表面向所述第三基区内延伸，所述注入区自所述第四基区的上表面贯穿所述第四基区。
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