[发明专利]光耦合结构、系统及光耦合结构的制备方法有效
| 申请号： | 201811529559.8 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109407208B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 杨林;杨尚霖;张磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/124;G02B6/136 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光耦合结构、系统及光耦合结构的制备方法，其中，所述方法包括：步骤S101：准备基底；步骤S102：在基底上形成铌酸锂光波导；步骤S103：在铌酸锂光波导的周壁上形成包裹铌酸锂光波导的二氧化硅芯层；步骤S104：在二氧化硅芯层的周壁上形成包裹二氧化硅芯层的二氧化硅包层。本发明缓解了现有技术中的铌酸锂光波导与单模光纤间的耦合效率低的技术问题，达到了提高铌酸锂光波导与单模光纤间的耦合效率的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 结构 系统 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光耦合结构，其特征在于，包括：基底；形成于所述基底上的铌酸锂光波导；形成于所述铌酸锂光波导的周壁上、且包裹所述铌酸锂光波导的二氧化硅芯层；形成于所述二氧化硅芯层的周壁上、且包裹所述二氧化硅芯层的二氧化硅包层。
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