[发明专利]具有高机械强度的半导体封装在审
| 申请号： | 201811529570.4 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109950224A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 王隆庆;杜震;陈波;鲁军;何约瑟 | 申请（专利权）人： | 万国半导体（开曼）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张妍;张静洁 |
| 地址： | 英属西印度群岛开曼群岛大开曼岛KY1*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种半导体封装和半导体晶圆，分开半导体晶圆，形成多个半导体封装。半导体晶圆具有一个半导体衬底、一个金属层、一个附着层、一个刚硬的支撑层、一个钝化层以及多个接触垫。半导体封装具有一个半导体衬底、一个金属层、一个附着层、一个刚硬的支撑层、一个钝化层以及多个接触垫。刚硬的支撑层的厚度大于半导体衬底的厚度。金属层的厚度小于半导体衬底的厚度。整个刚硬的支撑层可以由单独的晶体硅材料或多晶硅材料制成。单独的晶体硅材料或多晶硅材料可以由回收的硅晶圆制成。使用回收的硅晶圆的好处在于节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体封装 支撑层 衬底 刚硬 半导体晶圆 半导体 金属层 多晶硅材料 晶体硅材料 钝化层 附着层 硅晶圆 接触垫 回收 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆，包括：一个具有正面和背面的半导体衬底，半导体衬底的正面在其背面的对面，其中半导体衬底的厚度等于或小于50微米；一个具有正面和背面的金属层，金属层的正面在其背面的对面，金属层的正面直接连接到半导体衬底的背面；一个具有正面和背面的附着层，附着层的正面在其背面的对面，附着层的正面直接连接到金属层的背面；一个具有正面和背面的刚硬的支撑层，刚硬的支撑层的正面在其背面的对面，刚硬的支撑层的正面直接连接到附着层的背面；以及多个接触垫，连接到半导体衬底的正面；其中刚硬的支撑层的厚度大于半导体衬底的厚度，其中刚硬的支撑层的厚度在50微米至300微米范围内；并且其中刚硬的支撑层比胶带膜材料更加刚硬。
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