[发明专利]一种半导体器件结构和形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件结构，使用常规半导体衬底进行器件的制造，通过背面沟槽隔离与浅沟槽隔离相连，实现了器件之间完全的介质隔离；背面沟槽隔离底部与N+源漏和P+源漏接触，消除了N+源漏与P阱、P+源漏与N阱之间的寄生电容，提高了MOS器件的开关速度；通过背面N+注入和P+注入、背面接触孔和背面金属层工艺，实现了NMOS的P阱接地，PMOS的N阱接电源，减小了体接触的串联电阻，从而避免了SOI器件的浮体效应；并且背面接触孔与硅衬底上的N阱有源区和P阱有源区侧壁相连，器件中产生的热量可以通过接触孔和金属层快速导出，避免了自加热效应，防止了器件性能的劣化。本发明还公开了一种半导体器件结构的形成方法。

主权项

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：设于半导体衬底正面和背面的多个结构；其中，设于所述半导体衬底正面的结构包括：位于所述半导体衬底的正面上的浅沟槽隔离，阱有源区，源漏和栅极；位于所述半导体衬底的正面表面上的后道介质层，以及位于所述后道介质层中的后道金属互连层；设于所述半导体衬底背面的结构包括：位于所述半导体衬底的背面上的背面沟槽隔离和重掺杂注入区；所述背面沟槽隔离相连位于所述浅沟槽隔离和源漏的上方，并将所述浅沟槽隔离和源漏完全覆盖，所述重掺杂注入区相连位于所述阱有源区的上方；位于所述半导体衬底的背面表面上的背面介质层，位于所述背面介质层中且下端连接所述重掺杂注入层和阱有源区的背面接触孔，以及相连位于所述背面接触孔上端上的背面金属层；其中，所述背面接触孔的侧壁向下延伸至至少与所述重掺杂注入层的侧壁相接。