[发明专利]一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件有效
| 申请号： | 201811529867.0 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109343237B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 孙军强;张意 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;G02F1/017 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件，包括：P型硅衬底、P型锗硅合金缓冲层、本征锗硅合金下隔离层、本征锗硅合金耦合量子阱层、本征锗硅合金上隔离层、N型锗硅合金盖层，本征锗硅合金耦合量子阱层由多个非对称耦合量子阱组成，单个非对称耦合量子阱由两个不同宽度的量子阱、一个中间薄壁垒、两个侧边壁垒组成，相邻两个非对称耦合量子阱共用一个侧边壁垒区，两个侧边壁垒的锗硅合金组分配比相同，中间薄壁垒的Ge含量必须低于所述两个侧边壁垒。中间垒区Ge含量低的非对称耦合量子阱，势垒高度比两侧势垒区高，防止中间垒区两侧的量子阱在无外加电场时发生耦合，在加电场发生耦合时，对两个量子阱的耦合控制效果更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 阱电致 折射率 调制器 集成 光电子 器件 | ||
【主权项】：
1.一种锗硅量子阱电致折射率调制器，其由下往上依次包括：P型硅衬底、P型锗硅合金缓冲层、本征锗硅合金下隔离层、本征锗硅合金耦合量子阱层、本征锗硅合金上隔离层、N型锗硅合金盖层，所述本征锗硅合金耦合量子阱层由多个非对称耦合量子阱组成，单个非对称耦合量子阱由两个不同宽度的量子阱、一个中间薄壁垒、两个侧边壁垒组成，相邻两个非对称耦合量子阱共用一个侧边壁垒区，其特征在于，两个侧边壁垒的锗硅合金组分配比Ge锗含量相同，中间薄壁垒的Ge含量必须低于所述两个侧边壁垒。
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