[发明专利]一种Co-Sn-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201811530024.2 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109503162B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李恩竹;杨鸿宇;杨鸿程;陈亚伟;钟朝位;张树人 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Co‑Sn‑Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料晶体结构为Trirutile相，烧结温度1250‑1350℃，介电常数15‑20，损耗介于4.81×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 co sn ta 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Co‑Sn‑Ta基微波介质陶瓷材料，其特征在于：为Co0.5Sn0.5TaO4微波介质陶瓷材料，晶体结构为Trirutile相，预烧温度850℃‑1000℃，烧结温度1250‑1350℃，介电常数15‑20，损耗介于4.81×10‑4‑6.02×10‑4，谐振频率温度稳定系数‑2.65～‑0.59ppm/℃；其原料组成为Co2O3、SnO2和Ta2O5，化学通式Co0.5Sn0.5TaO4，通过固相法制得。
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