[发明专利]一种利用等离子体增强原子层沉积调控氧化硅薄膜化学计量比的方法在审
| 申请号： | 201811530352.2 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109536921A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 卢红亮;李幸;马宏平;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/455;C23C16/50 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;王洁平 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用等离子体增强原子层沉积调控氧化硅薄膜化学计量比的方法。本发明以TDMAS和等离子体氧气为前驱体源，通过调控生长温度、TDMAS通入PEALD反应腔室的时间、离子体氧气通入时间与氧气的流量，实现不同化学计量比的氧化硅薄膜的制备。本发明利用PEALD制备得到不同厚度的均匀性较好的高质量薄膜，可以有效控制其化学计量比，这种薄膜主要用于制备LED发光器件，为硅基发光器件的制备提供了一种可行的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 化学计量比 制备 氧化硅薄膜 等离子体增强原子层沉积 氧气 薄膜 调控 等离子体 硅基发光器件 高质量薄膜 前驱体源 有效控制 均匀性 离子体 生长 | ||
【主权项】：
1.一种利用等离子体增强原子层沉积调控氧化硅薄膜化学计量比的方法，其特征在于，其以TDMAS和等离子体氧气为前驱体源，通过调控生长温度、TDMAS通入PEALD反应腔室的时间、离子体氧气通入时间与氧气的流量，实现不同化学计量比的氧化硅薄膜的制备。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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