[发明专利]三维结构碳化硅及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201811531540.7 申请日: 2018-12-14
公开(公告)号: CN109485047A 公开(公告)日: 2019-03-19
发明(设计)人: 孙蓉;杨楠楠;么依民;曾小亮;鲁济豹;任琳琳;许建斌;汪正平 申请(专利权)人: 中国科学院深圳先进技术研究院
主分类号: C01B32/956 分类号: C01B32/956;C04B35/565;C04B35/622;C04B38/00
代理公司: 北京市诚辉律师事务所 11430 代理人: 范盈
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种三维结构碳化硅制备方法。本发明三维结构氮化硼制备方法包括制备碳化硅纳米线溶液、对碳化硅纳米线溶液与水溶性聚合物制备三维结构碳化硅前驱体、对三维结构碳化硅前驱体进行烧结热处理等步骤。本发明实施例三维结构碳化硅的制备方法反应条件温和,生产成本低,制备得到的三维结构碳化硅密度低,孔隙率高,三维结构尺寸优异,具有良好的力学强度。
搜索关键词: 三维结构 碳化硅 制备 碳化硅纳米线溶液 前驱体 制备方法和应用 水溶性聚合物 生产成本低 热处理 反应条件 烧结 氮化硼 孔隙率 力学
【主权项】:
1.一种三维结构碳化硅的制备方法,其包括如下步骤:1)将碳化硅纳米线通过表面活性剂在水中均匀分散,得到碳化硅纳米线溶液;2)将步骤1)所得碳化硅纳米线溶液中加入水溶性聚合物进行进一步分散;3)冷冻干燥除水后烧结热处理,得到三维结构碳化硅;优选地,步骤1)中碳化硅纳米线、表面活性剂与水的质量比为1:(0.1~0.5):(20~50);优选地,步骤2)中碳化硅纳米线溶液与水溶性聚合物的质量比为(1~20):100。
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