[发明专利]具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT在审
| 申请号： | 201811531736.6 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109935632A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | A.毛德;T.金齐希;F-J.尼德诺斯泰德;C.P.桑多 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 陈晓;申屠伟进 |
| 地址： | 德国德累*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT。一种功率半导体器件，具有耦合到第一和第二负载端子结构的半导体主体，所述半导体主体被配置成在器件的导通状态期间传导负载电流并且具有漂移区。所述功率半导体器件包括多个单元，每个单元具有：在第一单元部分中的第一台面，所述第一台面包括：第一端口区，以及第一沟道区，所述第一台面展现在横向方向上的小于100 nm的总延伸，以及在第二单元部分中的第二台面，所述第二台面包括：第二端口区，以及第二沟道区。沟槽结构包括被配置成通过反型或积聚来控制负载电流的控制电极结构。第二导电类型的引导区域位于第二沟道区以下并且从第一和第二沟道区移位。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 沟道区 功率半导体器件 半导体主体 端口区 耗尽 传导负载电流 控制电极结构 导电类型 导通状态 负载端子 沟槽结构 横向方向 控制负载 引导区域 漂移区 耦合到 移位 反型 配置 积聚 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体器件，其具有耦合到第一负载端子结构和第二负载端子结构的半导体主体，所述半导体主体包括第一导电类型的漂移区并且被配置成在功率半导体器件的导通状态期间传导负载电流以及在功率半导体器件的阻断状态期间阻断负载电流，其中所述功率半导体器件包括多个单元，每个单元包括：‑ 包括在第一单元部分中的第一台面，所述第一台面包括：被电连接到第一负载端子结构的第一导电类型的第一端口区，以及被耦合到漂移区的第一沟道区，其中所述第一台面在垂直于第一台面内的负载电流部分的垂直方向的横向方向上展现小于100 nm的总延伸；‑ 包括在第二单元部分中的第二台面，所述第二台面包括：第二导电类型的并且被电连接到第一负载端子结构的第二端口区，以及被耦合到漂移区的第二沟道区；‑ 沟槽结构，其包括被配置成控制负载电流的控制电极结构；‑ 其中，第一单元部分被配置成在导通状态中使第一沟道区完全耗尽第二导电类型的移动电荷载流子，‑ 其中，第一单元部分被配置成在导通状态中在第一沟道区中诱导用于第一导电类型的移动电荷载流子的电流路径，并且在阻断状态中不诱导用于第一导电类型的移动电荷载流子的电流路径，‑ 第二导电类型的引导区域，其被布置在第二沟道区以下并且沿着垂直方向从第一和第二沟道区二者在空间上移位，其中所述引导区域在横向方向上与第二台面横向重叠并且朝向第一台面横向延伸而不与第一台面横向重叠。
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