[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201811532604.5 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109616514A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 赵东光;占琼 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华;王宝筠 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，本发明技术方案中，栅介质层以及栅极表面覆盖有第一介质层，可以基于栅极及其表面的第一介质层，在所述衬底内形成轻掺杂漏区以及轻掺杂源区，避免轻掺杂源区与轻掺杂漏区扩散到栅极下方，可以增大轻掺杂源区与轻掺杂漏区之间的距离，避免穿通击穿问题，降低寄生电容，提高操作频率。可以基于所述栅极及其侧壁的第一介质层和第二介质层，在所述衬底内形成源区和漏区，在形成图案化的第二介质层时，由于第一介质层的保护，可以避免图案化第二介质层时导致的过刻蚀问题。而且本发明技术方案仅需要两层介质层，制作工艺简单，制作成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 轻掺杂漏区 轻掺杂源区 半导体器件 图案化 衬底 制作 操作频率 寄生电容 栅极表面 栅介质层 制作工艺 过刻蚀 侧壁 穿通 击穿 两层 漏区 源区 扩散 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底具有第一表面，所述第一表面具有栅介质层，所述栅介质层背离所述衬底的一侧表面具有栅极；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述栅介质层以及所述栅极；基于所述栅极及其侧壁的第一介质层，朝向所述第一表面进行第一次离子注入，在所述衬底内形成轻掺杂源区以及轻掺杂漏区；形成图案化的第二介质层，所述图案化的第二介质层覆盖位于所述栅极侧壁的第一介质层，露出其他部分的所述第一介质层；基于所述栅极及其侧壁的第一介质层和第二介质层，朝向所述第一表面进行第二次离子注入，在所述衬底内形成源区以及漏区。
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