[发明专利]低雷诺数条件的等离子体合成射流激励器有效
| 申请号： | 201811532947.1 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109618481B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 李彪;周德力;蔡伟华 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H05H1/30 | 分类号： | H05H1/30;B64C23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 刘景祥 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明是低雷诺数条件的等离子体合成射流激励器，包括激励器放电腔(4)、激励器缓冲腔(2)、阴极放电电极(6)、阳极放电电极(5)和耐热硅胶。激励器放电腔(4)放置于激励器缓冲腔(2)内，耐热硅胶将阴极放电电极(6)和阳极放电电极(5)固定和密封在激励器放电腔(4)的底部。在放电电极作用下，激励器放电腔(4)内的气体变为高速气体，高速气体通过高速射流孔(3)射出到激励器缓冲腔(2)内，高速气体减速变为低速气体，低速气体通过低速射流孔(1)射出到外界，最终在激励器缓冲腔(2)射出Re不大于10^6的低速气体。本发明结构简单，稳定性好，效率高，体积小。 | ||
| 搜索关键词： | 雷诺数 条件 等离子体 合成 射流 激励 | ||
【主权项】：
1.一种低雷诺数条件的等离子体合成射流激励器，其特征是：包括激励器放电腔(4)、激励器缓冲腔(2)、阴极放电电极(6)、阳极放电电极(5)和耐热硅胶，激励器放电腔(4)放置于激励器缓冲腔(2)内；激励器放电腔(4)为空心圆柱体，激励器缓冲腔(2)为空心柱体或者横截面为多边形几何截面的空心柱体，激励器放电腔(4)与激励器缓冲腔(2)的间隔板上设有四个环形阵列分布的高速射流孔(3)，激励器缓冲腔(2)上壁设有三个环形阵列分布的低速射流孔(1)或者缝开口。
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