[发明专利]一种利用深紫外激光对氧化物半导体薄膜进行退火的方法在审
| 申请号： | 201811532972.X | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109767973A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;邓宇熹;姚日晖;刘贤哲;袁炜健;张啸尘;张观广;张旭;梁志豪;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/428;H01L21/477 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 桂婷 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于深紫外激光退火领域，公开了一种利用深紫外激光对氧化物半导体薄膜进行退火的方法。该方法包括以下步骤：在玻璃基板上制备非晶氧化物半导体薄膜，然后将薄膜平放在样品台上，设定激光器透镜与薄膜样品间的最小距离、设定激光光速的移动速度、光束移动的横向重叠率纵向间距，然后用激光光束进行横向连续扫描，直至作用完所有区域。本发明通过深紫外激光在薄膜上连续扫描，使薄膜的表面形貌，物理性质和光学特性得到改善，且提高了光透射率，同时激光处理使STO的光学带隙增大。与传统的高温热处理相比有高能量，处理范围可选择，时间短，能耗低等优点，作用完整片10×10mm的样品只需要1.98s。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 深紫外激光 氧化物半导体薄膜 退火 连续扫描 非晶氧化物半导体 深紫外激光退火 透镜 高温热处理 薄膜样品 表面形貌 玻璃基板 光束移动 光透射率 光学带隙 光学特性 激光处理 激光光束 激光光速 物理性质 最小距离 激光器 传统的 高能量 重叠率 制备 能耗 移动 | ||
【主权项】：
1.一种利用深紫外激光对氧化物半导体薄膜进行退火的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)在玻璃基板上制备非晶氧化物半导体薄膜；(2)将薄膜平放在样品台上，设定激光器透镜与薄膜样品间的最小距离、设定激光光束的移动速度、光束移动的横向重叠率、纵向间距，然后用激光光束进行横向连续扫描，直至作用完所有区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
