[发明专利]一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法有效
| 申请号： | 201811533723.2 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN110592672B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 刘春俊;雍庆;彭同华;赵宁;王波;杨建 | 申请（专利权）人： | 北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区中关村科技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法，其包括：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，在特定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：在生长过程中，在温度保持在高温的条件下，通过控制生长室内的压力来调控SiC晶体生长过程的开始及中断，使碳化硅晶体在先开始生长后再中断生长然后再缓慢接长，从而促使基面位错在中断后接长时转换为刃位错，从而获得低基面位错密度的碳化硅晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低基面位错 密度 碳化硅 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低基面位错密度的碳化硅晶体生长方法，其包括：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，在一定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶，其特征在于，在单晶生长过程中，在温度保持高温的条件下，控制生长室内的压力来调控晶体生长过程的开始及停止，使碳化硅晶体在先开始生长后再中断生长然后再缓慢接长的过程中促使基面位错转换为贯通刃位错，所述温度和压力条件为依次进行的以下过程：（1）在压力为20-80kPa的条件下，将温度升至2000-2500℃，并维持1-10h；（2）将压力降至100-3000Pa，并维持1-30h；（3）将压力升至20-80kPa，并维持0.1-4h；（4）将压力降至300-3000Pa，并维持10-40h；（5）将压力降至100-1500Pa,并维持40-200h；（6）将压力升至20-80kPa，进行降温冷却；所述温度为坩埚内籽晶位置的温度，所述压力为生长室内的压力。/n
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