[发明专利]TFT的制备方法、TFT、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201811534064.4 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109659235B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 胡俊艳 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种TFT的制备方法、TFT、阵列基板及显示装置。本发明实施例中方法包括：在基板上形成缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、源极层、漏极层和栅极层；其中，多晶硅层形成于缓冲层之上，源极层和漏极层形成于多晶硅层两侧，栅极绝缘层形成于多晶硅层、源极层和漏极层之上，在基板上形成缓冲层和多晶硅层之后，形成栅极绝缘层之前，对多晶硅层进行一次离子植入，以调整TFT的亚阈值摆幅不低于预设阈值，并使得植入离子浓度的峰值落在多晶硅层下方的缓冲层中。本发明实施例中在调整TFT的亚阈值摆幅的情况下，不会对TFT的其他电学特性参数产生不良影响，提升了TFT整体产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | tft 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种TFT的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上形成缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、源极层、漏极层和栅极层；其中，所述多晶硅层形成于所述缓冲层之上，所述源极层和漏极层形成于所述多晶硅层两侧，所述栅极绝缘层形成于所述多晶硅层、所述源极层和漏极层之上，在基板上形成所述缓冲层和多晶硅层之后，形成所述栅极绝缘层之前，对所述多晶硅层进行一次离子植入，以调整TFT的亚阈值摆幅不低于预设阈值，并使得植入离子浓度的峰值落在多晶硅层下方的缓冲层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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