[发明专利]一种超晶格结构热功能陶瓷材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201811534473.4 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109659426B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 冯晶;李淑慧;葛振华;师晓莉 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01L35/22 | 分类号： | H01L35/22;H01L35/34;C04B35/453 |
| 代理公司： | 昆明知道专利事务所(特殊普通合伙企业) 53116 | 代理人： | 谢乔良;张玉 |
| 地址： | 650500 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种超晶格结构热功能陶瓷材料及其制备方法与应用。所述的超晶格结构热功能陶瓷材料以纯度大于99.99%的氧化铟、氧化锌及氧化镓作为前驱粉体，采用固相合成法，通过湿磨法球磨6小时，后置于烘箱中343K烘干，干燥的粉体研磨并过筛。将所获得的粉体压片，并放入高温马弗炉中，1473~1623K保温后的样品再次研磨过筛。将所获粉体置于石墨模具中，采用放电等离子（SPS）烧结工艺在1173~1273K烧结0~20分钟制备出InGaZn |
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| 搜索关键词： | 一种 晶格 结构 功能 陶瓷材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种超晶格结构热功能陶瓷材料，其特征在于所述的超晶格结构热功能陶瓷材料是以氧化铟、氧化镓和氧化锌作为前驱粉体，采用固相合成法制备得到粉体InGaZnkOk+3，然后经压片、保温、研磨过筛和烧结制备得到InGaZnkOk+3陶瓷块体，即目标物超晶格结构热功能陶瓷材料；所述的超晶格结构热功能陶瓷材料具有层状超晶格结构，具有半导体和绝缘体性质，是由InO2‑层和InO+(ZnO)k层沿c轴交替堆叠形成超晶格结构的氧化物；所述的超晶格结构热功能陶瓷材料的致密度为78% ~84% 。
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