[发明专利]半色调掩膜版湿法灰化制作方法在审
申请号: | 201811534780.2 | 申请日: | 2018-12-14 |
公开(公告)号: | CN109634051A | 公开(公告)日: | 2019-04-16 |
发明(设计)人: | 杜武兵;林伟;吕振群 | 申请(专利权)人: | 深圳市路维光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F1/80 |
代理公司: | 深圳市翼智博知识产权事务所(普通合伙) 44320 | 代理人: | 黄莉 |
地址: | 518057 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供一种半色调掩膜版湿法灰化制作方法,包括:提供母板,母板包括基板及自基板一侧表面依次形成的半透层、透光阻隔层、遮光层和光阻层;在光阻层形成完全感光区、不完全感光区及非感光区;去除已感光的光阻材料形成完全显影区和不完全显影区;依次蚀除完全显影区内侧的遮光层、透光阻隔层和半透层形成透光图形区;采用灰化液与光阻层反应直至不完全显影区内侧的剩余光阻层完全去除形成灰化区;蚀除灰化区内侧的遮光层形成半透光图形区;去除光阻层。本发明实施例在显影、蚀刻形成透光图形区和不完全显影区后采用灰化液与光阻层反应形成灰化区,再采用蚀刻液蚀除灰化区内侧的遮光层形成半透光图形区,不需使用灰化炉,制作成本低。 | ||
搜索关键词: | 灰化 光阻层 遮光层 显影区 去除 蚀除 显影 透光图形区 半色调 半透光 感光区 图形区 掩膜版 阻隔层 透光 半透 基板 母板 湿法 制作 蚀刻 剩余光阻层 非感光区 光阻材料 灰化炉 蚀刻液 感光 | ||
【主权项】:
1.一种半色调掩膜版湿法灰化制作方法,其特征在于,包括以下步骤:提供母板,所述母板包括基板以及自所述基板一侧表面由内至外依次形成的半透层、透光阻隔层、遮光层以及光阻层;对所述母板进行曝光,通过调整控制不同区域的曝光能量,在所述光阻层分别形成完全感光区、不完全感光区及非感光区;采用显影液去除完全感光区和不完全感光区内已感光的光阻材料而分别形成完全显影区和不完全显影区;采用蚀刻液依次蚀除所述完全显影区内侧的遮光层、透光阻隔层和半透层形成透光图形区;采用灰化液与所述光阻层反应直至所述不完全显影区内侧的剩余光阻层通过反应完全去除形成灰化区;采用蚀刻液蚀除所述灰化区内侧的遮光层形成半透光图形区;去除残留的光阻层,获得带有透光图形区和半透光图形区的半色调掩膜版成品。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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